индивидуалка софия проститутки весы индивидуалки шлюхи москвы индивидуалки копейск карта сайта
close

Warning: fopen() has been disabled for security reasons in /home/u61454/otik.ru/www/admin/main.php(1) : eval()'d code on line 1

Warning: fgets(): supplied argument is not a valid stream resource in /home/u61454/otik.ru/www/admin/main.php(1) : eval()'d code on line 1

Warning: fgets(): supplied argument is not a valid stream resource in /home/u61454/otik.ru/www/admin/main.php(1) : eval()'d code on line 1

Warning: fread(): supplied argument is not a valid stream resource in /home/u61454/otik.ru/www/admin/main.php(1) : eval()'d code on line 1
 

Выставки и конференции

ОАО «ОТИК-групп» при поддержке Департамента развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки РФ и Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга РФ в 2013 г. проводит 9-ю ежегодную конференцию «Практические аспекты разработки отечественных СБИС типа «система на кристалле». Конференция пройдет 23-26 апреля 2013 года, в г. Геленджик.


По предложениям участников конференции готовится обширная деловая программа с рассмотрением следующих вопросов (по желанию участников возможно расширение программы конференции в рамках её тематики другими актуальными вопросами):

  1. Исследование перспективных типов СВЧ приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления, вопросы проектирования, изготовления и применения сложных СВЧ микроэлектронных устройств типов «система на кристалле», «система в корпусе», в том числе интегрированные решения по кремний-германиевой технологии.
  2. Проблемы процесса проектирования перспективных перестраиваемых СВЧ схем, включая технологические ограничения и возможные перспективные решения, в том числе, по созданию многополосных и когнитивных систем.
  3. Вопросы электромагнитного анализа элементов СВЧ устройств типов «система на кристалле», «система в корпусе».
  4. Вопросы обеспечения контролепригодности и встроенного контроля работоспособности СнК.
  5. Средства защиты по управлению задачами, выполняемыми СнК и информацией, записанной в СнК: способы защиты от несанкционированного доступа к схеме электрической принципиальной, алгоритмам работы и информации, записанной в элементах памяти ИС, применяемые и разрабатываемые отечественными разработчиками, а также эффективность таких средств защиты.
  6. Задачи и пути решения системотехнических, конструктивных и метрологических проблем в технологии наноэлектронных ИС.
  7. Программные средства и технологии для анализа и выработки путей повышения выхода годных схем для различных этапов проектирования (DFМ – проектирование с учетом производства), включая «design centering» – методологию выбора наиболее предпочтительного варианта из различных вариантов конструкций для проектирования DFM.
  8. Вопросы создания констуктивно-технологической базы изготовления КМОП с проектными нормами до 0,065 мкм для классов СнК с высоким быстродействием, малой потребляемой мощностью, повышенной радиационной стойкостью.
  9. Специфика разработки СнК, стойких к специальным воздействиям.
  10. Особенности архитектуры высокопроизводительных СФ-блоков помехозащищённого кодирования для новых поколений телекоммуникационных систем.
  11. Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения, включая СФ-блоки матричных приемников излучения.
  12. Многоядерные мультипотоковые кристаллы для супервычислений и ЦОД.
  13. Разработка методов проектирования и конструктивно-технологических методов создания СнК с использованием 3-х мерной интеграции (3D Сhiр Тесnоlоgу, Three-dimensional silicon integration).
  14. Проблемы надёжности: методики расчёта интенсивности отказов современных ИС при эксплуатации, методики расчёта интенсивности отказов комплектующих РЭА с учетом старения, вопросы обеспечения надёжности на стадии проектирования.
  15. Формирование системы учета информации (унификации, каталогизации) о результатах научных исследований и технологических разработок в области создания перспективной ЭКБ (СФ-блоков, СБИС типов «система на кристалле», «система в корпусе»), полученных организациями различной организационно-правовой формы и формы собственности, определение порядка доступа к этой информации.
  16. Направления формирования и развития системы единой информационной базы для обеспечения интеграции усилий дизайн-центров и вузов вокруг проблемы создания отечественной элементной базы типа «система на кристалле».
  17. Порядок взаимодействия дизайн-центров, ЦФШ и производства (включая fоundry). Разработка нормативно-технических документов (НТД), регламентирующих требования, описание, порядок создания и испытания СнК и СФ-блоков. Опыт разработки СнК на основе существующих комплектов НТД.
  18. Актуальные проблемы промышленного программирования и информатизации науки и образования.

В рамках конференции под руководством опытных разработчиков работает семинар «Школа молодого проектировщика».


В случае Вашей заинтересованности и желании принять участие в работе конференции, просим Вас заполнить регистрационную форму-заявку и направить ее в Оргкомитет до 5 апреля 2013 года по тел./факсу: +7 (499) 736-46-43; +7 (499) 731–12-21. e-mail: info@otik.ru, secretary@otik.ru.


Просим Вас подготовить доклад по Вашему профильному направлению и интересующим вопросам. Примерный регламент выступления – 15-20 минут, наличие электронной версии доклада обязательно.


По итогам будет выпущен сборник трудов 9-ой ежегодной конференции «Практические аспекты разработки отечественных СБИС типа «система на кристалле». Доклады планируется опубликовать в журнале, одобренном Высшей Аттестационной Комиссией.


Регистрация участников:

Сумма организационного взноса участника Конференции без стоимости дороги составляет 29 500 руб., в т.ч. НДС 18%.

Организационный взнос включает: предоставление организационных и информационных услуг в рамках проведения конференции, проживание в благоустроенных двухместных номерах, 3-х разовое питание, трансфер к месту проведения конференции (от аэропорта г. Геленджик, от ж/д вокзала в г. Новороссийск и обратно), культурная программа.



Приложение:

Регистрационная форма-заявка на 1 листе